Technische Details PHE13003A,126 NXP Semiconductors
Description: TRANS NPN 400V 1A TO-92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 750mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 400mA, 5V, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Power - Max: 2.1 W.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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PHE13003A,126 | WeEn Semiconductors |
 Description: TRANS NPN 400V 1A TO-92-3Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 750mA Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 400mA, 5V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 2.1 W |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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PHE13003A,126 | WeEn Semiconductors |
Bipolar Transistors - BJT Single NPN 1A 2.1W |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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PHE13003A,126 | NXP Semiconductors |
Trans GP BJT NPN 400V 1A 2100mW 3-Pin TO-92 Ammo |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 20000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PHE13003A,126 |
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Hersteller: WeEn Semiconductors
Description: TRANS NPN 400V 1A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 750mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 400mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2.1 W
Description: TRANS NPN 400V 1A TO-92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 750mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 400mA, 5V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2.1 W
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| PHE13003A,126 |
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Hersteller: WeEn Semiconductors
Bipolar Transistors - BJT Single NPN 1A 2.1W
Bipolar Transistors - BJT Single NPN 1A 2.1W
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| PHE13003A,126 |
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Hersteller: NXP Semiconductors
Trans GP BJT NPN 400V 1A 2100mW 3-Pin TO-92 Ammo
Trans GP BJT NPN 400V 1A 2100mW 3-Pin TO-92 Ammo
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