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PHE13003C,412 WeEn Semiconductors


PHE13003C.pdf
Hersteller: WeEn Semiconductors
Bipolar Transistors - BJT Silicon diffused power transistor
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Technische Details PHE13003C,412 WeEn Semiconductors

Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO-92-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 1.5A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Power - Max: 2.1 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PHE13003C,412 PHE13003C,412 WeEn Semiconductors PHE13003C.pdf Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 2V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 2.1 W
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PHE13003C,412 PHE13003C.pdf
Hersteller: WeEn Semiconductors
Description: TRANS NPN 400V 1.5A TO-92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
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