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PHE13003C,412

PHE13003C,412 WeEn Semiconductors

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Hersteller: WeEn Semiconductors
Bipolar Transistors - BJT Silicon diffused power transistor
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Technische Details PHE13003C,412 WeEn Semiconductors

Category: NPN THT transistors, Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1.5A; 2.1W; TO92, Mounting: THT, Type of transistor: NPN, Case: TO92, Collector current: 1.5A, Power dissipation: 2.1W, Current gain: 5...25, Collector-emitter voltage: 400V, Kind of package: bulk, Polarisation: bipolar.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PHE13003C,412 PHE13003C,412 WeEn Semiconductors Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1.5A; 2.1W; TO92
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Case: TO92
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 2.1W
Current gain: 5...25
Collector-emitter voltage: 400V
Kind of package: bulk
Polarisation: bipolar
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PHE13003C,412 PHE13003C,412 WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited phe13003c.pdf Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 2100mW Bulk
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PHE13003C,412
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Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 1.5A; 2.1W; TO92
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Case: TO92
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 2.1W
Current gain: 5...25
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Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 2100mW Bulk
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