PHE13005,127 WeEn Semiconductors
Hersteller: WeEn SemiconductorsCategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 400V
Collector current: 4A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Current gain: 10...40
Mounting: THT
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1010 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 90+ | 0.8 EUR |
| 115+ | 0.62 EUR |
| 133+ | 0.54 EUR |
| 183+ | 0.39 EUR |
| 208+ | 0.34 EUR |
| 500+ | 0.26 EUR |
| 1000+ | 0.25 EUR |
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Technische Details PHE13005,127 WeEn Semiconductors
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - PHE13005,127 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 75 W, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Dauerkollektorstrom: 4A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote PHE13005,127 nach Preis ab 0.25 EUR bis 1.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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PHE13005,127 | Hersteller : WeEn Semiconductors |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 4A; 75W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 4A Power dissipation: 75W Case: TO220AB Current gain: 10...40 Mounting: THT Kind of package: tube |
auf Bestellung 1010 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PHE13005,127 | Hersteller : WeEn Semiconductors |
Bipolar Transistors - BJT RAIL BIPOLAR |
auf Bestellung 5752 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PHE13005,127 | Hersteller : WeEn Semiconductors |
Description: TRANS NPN 400V 4A TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 75 W |
auf Bestellung 6575 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PHE13005,127 | Hersteller : WEEN SEMICONDUCTORS |
Description: WEEN SEMICONDUCTORS - PHE13005,127 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 4 A, 75 W, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 75W Bauform - Transistor: TO-220AB Dauerkollektorstrom: 4A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 3817 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PHE13005,127 | Hersteller : Ween |
Trans GP BJT NPN 400V 4A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PHE13005,127 | Hersteller : NXP Semiconductors |
Trans GP BJT NPN 400V 4A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PHE13005,127 | Hersteller : WeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,Limited |
Trans GP BJT NPN 400V 4A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail |
Produkt ist nicht verfügbar |