Technische Details PHE13009 NXP
NPN, Uкэ=400V, Iк=12A (24 имп.), h21=6...40, 80Вт, TO-220AB Транзистори.
Weitere Produktangebote PHE13009
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| PHE13009 | NXP |
NPN, Uкэ=400V, Iк=12A (24 имп.), h21=6...40, 80Вт, TO-220AB Транзистори |
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| PHE13009 | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
|
PHE13009 | WeEn Semiconductors |
Bipolar Transistors - BJT RAIL PWR-MOS |
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| PHE13009 |
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Hersteller: NXP
NPN, Uкэ=400V, Iк=12A (24 имп.), h21=6...40, 80Вт, TO-220AB Транзистори
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| PHE13009 |
Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT
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| PHE13009 |
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Hersteller: WeEn Semiconductors
Bipolar Transistors - BJT RAIL PWR-MOS
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