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PHPT61010NYX

PHPT61010NYX Nexperia USA Inc.

PHPT61010NY.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 100V 10A LFPAK56
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Frequency - Transition: 145MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 1A, 10A
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 1500 Stücke:
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Technische Details PHPT61010NYX Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PHPT61010NYX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 10 A, 1.5 W, SOT-669, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-669, Dauerkollektorstrom: 10A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 145MHz, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PHPT61010NYX PHPT61010NYX Nexperia PHPT61010NY.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT669 100V 10A NPN HI PWR
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10+1.15 EUR
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PHPT61010NYX PHPT61010NYX Nexperia USA Inc. PHPT61010NY.pdf Description: TRANS NPN 100V 10A LFPAK56
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Frequency - Transition: 145MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 1A, 10A
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1614 Stücke:
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13+1.43 EUR
50+1.06 EUR
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PHPT61010NYX PHPT61010NYX NEXPERIA NEXP-S-A0003101077-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PHPT61010NYX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 10 A, 1.5 W, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-669
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PHPT61010NYX PHPT61010NYX NEXPERIA NEXP-S-A0003101077-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PHPT61010NYX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 10 A, 1.5 W, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-669
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
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Hersteller: Nexperia
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Description: TRANS NPN 100V 10A LFPAK56
Qualification: AEC-Q100
Grade: Automotive
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Frequency - Transition: 145MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 1A, 10A
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
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PHPT61010NYX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PHPT61010NYX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 10 A, 1.5 W, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-669
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 145MHz
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PHPT61010NYX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PHPT61010NYX - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 10 A, 1.5 W, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
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Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-669
Dauerkollektorstrom: 10A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 145MHz
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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