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PJA3400_R1_00001

PJA3400_R1_00001 PanJit

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Hersteller: PanJit
Trans MOSFET N-CH 30V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details PJA3400_R1_00001 PanJit

Description: SOT-23, MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 15 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PJA3400_R1_00001 PJA3400_R1_00001 PanJit 751pja34002015070120rev.01.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 4.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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PJA3400_R1_00001 PJA3400_R1_00001 Panjit 70B47309D26FB14583D3DC476DCEBDD3307508A88C9319256E812D9058319DE8.pdf MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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PJA3400_R1_00001 PJA3400_R1_00001 PanJit PJA3400.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 19.6A; 1.25W; SOT23
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 19.6A
Power dissipation: 1.25W
Gate charge: 5.7nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
On-state resistance: 60mΩ
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 19.6A; 1.25W; SOT23
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Polarisation: unipolar
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