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PJA3404-AU_R1_000A1 Transistor

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PJA3404-AU_R1_000A1 PJA3404-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PJA3404-AU.pdf Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 343 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 1629 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
40+0.52 EUR
64+0.33 EUR
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500+0.15 EUR
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PJA3404-AU_R1_000A1 PJA3404-AU_R1_000A1 Panjit A3CAFF92673072A839258F12CC6C693F4EE1B1990D397783304EBB74CAC9D077.pdf MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
auf Bestellung 3439 Stücke:
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PJA3404-AU_R1_000A1 PJA3404-AU.pdf
PJA3404-AU_R1_000A1
Hersteller: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 343 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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PJA3404-AU_R1_000A1
Hersteller: Panjit
MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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Grenzfrequenz fT, MHz: 100 МГц
Spannung Uce, V: 45 В
Spannung Ucb, V: 50 В
Strom Ic, A: 0,5 А
Stromverstärkung h21, max: 600
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Transitfrequenz fT: 100 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 45 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 50 В
Kollektorstrom Ic, A: 0,5 А
Stromverstärkung h21: 400
Montage: SMD
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Raster, mm: 5,08 мм
Anzahl Kontakte: 2
Steckverbindertyp: Klemme steckbarer Typ
Nennstrom: 20 А
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Sperrspannung, Vrm: 33 В
Leckstrom, Irm: 1 мкА
Diodenbauart: Bidirektional
Montage: SMD
SMBJ33CA
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Spannungsabfall Vf: 1,1 В
auf Bestellung 189 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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