PJA3428_R1_00001 Panjit International Inc.
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Technische Details PJA3428_R1_00001 Panjit International Inc.
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 0.6A; 500mW; SOT23, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 0.3A, Pulsed drain current: 0.6A, Power dissipation: 0.5W, Case: SOT23, Gate-source voltage: ±10V, On-state resistance: 4Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 0.9nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.
Weitere Produktangebote PJA3428_R1_00001 nach Preis ab 0.13 EUR bis 0.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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PJA3428_R1_00001 | Panjit International Inc. |
 Description: SOT-23, MOSFET |
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PJA3428_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 0.6A; 500mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.3A Pulsed drain current: 0.6A Power dissipation: 0.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 4Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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| PJA3428_R1_00001 |
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Hersteller: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
Description: SOT-23, MOSFET
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 48+ | 0.44 EUR |
| 76+ | 0.27 EUR |
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| 123+ | 0.17 EUR |
| 500+ | 0.13 EUR |
| PJA3428_R1_00001 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 0.6A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 0.6A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.9nC
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