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PJA3428_R1_00001

PJA3428_R1_00001 Panjit International Inc.

PJA3428.pdf Hersteller: Panjit International Inc.
Description: SOT-23, MOSFET
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Technische Details PJA3428_R1_00001 Panjit International Inc.

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 0.6A; 500mW; SOT23, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 0.3A, Pulsed drain current: 0.6A, Power dissipation: 0.5W, Case: SOT23, Gate-source voltage: ±10V, On-state resistance: 4Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 0.9nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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PJA3428_R1_00001 PJA3428_R1_00001 Hersteller : PanJit Semiconductor PJA3428.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 0.6A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PJA3428_R1_00001 PJA3428_R1_00001 Hersteller : PanJit Semiconductor PJA3428.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; Idm: 0.6A; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.9nC
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PJA3428-R1-00001 PJA3428-R1-00001 Hersteller : Panjit PJA3428-1867332.pdf MOSFET SOT-23/MOS/SOT/NFET-30TMN
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