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PJA3471_R1_00501

PJA3471_R1_00501 PanJit Semiconductor


Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -900mA; Idm: -3.6A; 1.25W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.9A
Pulsed drain current: -3.6A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Technische Details PJA3471_R1_00501 PanJit Semiconductor

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -900mA; Idm: -3.6A; 1.25W, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -100V, Drain current: -0.9A, Pulsed drain current: -3.6A, Power dissipation: 1.25W, Case: SOT23, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.7Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 8nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PJA3471-R1-00501 Panjit Array
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PJA3471-R1-00501
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Array
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