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PJC7476_R1_00001

PJC7476_R1_00001 Panjit

PJC7476-1869229.pdf
Hersteller: Panjit
MOSFET 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET-ESD Protected
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Technische Details PJC7476_R1_00001 Panjit

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 0.8A, Power dissipation: 0.35W, Gate charge: 1.8nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 0.3A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 100V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: SOT323, On-state resistance: 9Ω.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PJC7476_R1_00001 PJC7476_R1_00001 Panjit International Inc. PJC7476.pdf Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
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PJC7476_R1_00001 PJC7476.pdf
PJC7476_R1_00001
Hersteller: Panjit International Inc.
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