PJC7476_R1_00001 Panjit International Inc.
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 24+ | 0.88 EUR |
| 32+ | 0.68 EUR |
| 100+ | 0.42 EUR |
| 500+ | 0.29 EUR |
| 1000+ | 0.23 EUR |
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Technische Details PJC7476_R1_00001 Panjit International Inc.
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 0.8A, Power dissipation: 0.35W, Gate charge: 1.8nC, Polarisation: unipolar, Drain current: 0.3A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 100V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: SOT323, On-state resistance: 9Ω.
Weitere Produktangebote PJC7476_R1_00001
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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PJC7476_R1_00001 | Panjit International Inc. |
 Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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PJC7476_R1_00001 | Panjit |
MOSFETs 100V, N-Channel 350mW, 9Ohms, SOT-323-3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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PJC7476_R1_00001 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW Mounting: SMD Pulsed drain current: 0.8A Power dissipation: 0.35W Gate charge: 1.8nC Polarisation: unipolar Drain current: 0.3A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 100V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: SOT323 On-state resistance: 9Ω |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PJC7476_R1_00001 |
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Hersteller: Panjit International Inc.
Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Description: 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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| PJC7476_R1_00001 |
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Hersteller: Panjit
MOSFETs 100V, N-Channel 350mW, 9Ohms, SOT-323-3
MOSFETs 100V, N-Channel 350mW, 9Ohms, SOT-323-3
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| PJC7476_R1_00001 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Gate charge: 1.8nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
On-state resistance: 9Ω
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.35W
Gate charge: 1.8nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
On-state resistance: 9Ω
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