PJD80N06SA-AU_L2_006A1 Panjit International Inc.
Hersteller: Panjit International Inc.Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
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| Anzahl | Preis |
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| 6+ | 3.38 EUR |
| 10+ | 2.16 EUR |
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| 500+ | 1.17 EUR |
| 1000+ | 1.13 EUR |
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Technische Details PJD80N06SA-AU_L2_006A1 Panjit International Inc.
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 94A; TO252AA, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 94A, Case: TO252AA, Gate-source voltage: 20V, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Application: automotive industry.
Weitere Produktangebote PJD80N06SA-AU_L2_006A1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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PJD80N06SA-AU_L2_006A1 | Hersteller : Panjit International Inc. |
Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M Packaging: Tape & Reel (TR) |
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PJD80N06SA-AU_L2_006A1 | Hersteller : Panjit |
MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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| PJD80N06SA-AU_L2_006A1 | Hersteller : PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 94A; TO252AA Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 94A Case: TO252AA Gate-source voltage: 20V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
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