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PJL9407_R2_00001

PJL9407_R2_00001 Panjit

PJL9407-1869231.pdf Hersteller: Panjit
MOSFET 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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Technische Details PJL9407_R2_00001 Panjit

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 2.1W; SOP8, Mounting: SMD, Pulsed drain current: -20A, Power dissipation: 2.1W, Gate charge: 4.8nC, Polarisation: unipolar, Drain current: -5A, Kind of channel: enhanced, Drain-source voltage: -30V, Type of transistor: P-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: SOP8, On-state resistance: 80mΩ, Anzahl je Verpackung: 5 Stücke.

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PJL9407_R2_00001 Hersteller : PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 2.1W; SOP8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.1W
Gate charge: 4.8nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
On-state resistance: 80mΩ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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PJL9407_R2_00001 Hersteller : PanJit Semiconductor Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 2.1W; SOP8
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.1W
Gate charge: 4.8nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -5A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SOP8
On-state resistance: 80mΩ
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PJL9407_R2_00001 Hersteller : Panjit International Inc. Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
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PJL9407_R2_00001 Hersteller : Panjit International Inc. Description: 30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
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