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Technische Details PJMB125N60FRC-R2 Panjit
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; TO263AB, Polarisation: unipolar, Drain current: 30A, Gate-source voltage: 30V, Case: TO263AB, Drain-source voltage: 600V, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: reel; tape, Mounting: SMD.
Weitere Produktangebote PJMB125N60FRC-R2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| PJMB125N60FRC_R2_00201 | PanJit Semiconductor |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; TO263AB Polarisation: unipolar Drain current: 30A Gate-source voltage: 30V Case: TO263AB Drain-source voltage: 600V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PJMB125N60FRC_R2_00201 |
|
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; TO263AB
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Gate-source voltage: 30V
Case: TO263AB
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; TO263AB
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Gate-source voltage: 30V
Case: TO263AB
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
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Im Einkaufswagen
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