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Technische Details PJMB125N60FRC-R2 Panjit
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; TO263AB, Polarisation: unipolar, Drain current: 30A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 600V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: 30V, Kind of package: reel; tape, Case: TO263AB, Mounting: SMD.
Weitere Produktangebote PJMB125N60FRC-R2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| PJMB125N60FRC_R2_00201 | PanJit Semiconductor |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; TO263AB Polarisation: unipolar Drain current: 30A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: 30V Kind of package: reel; tape Case: TO263AB Mounting: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PJMB125N60FRC_R2_00201 |
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Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; TO263AB
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
Case: TO263AB
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; TO263AB
Polarisation: unipolar
Drain current: 30A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
Case: TO263AB
Mounting: SMD
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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen
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