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PJMB210N65EC-R2 Panjit



Hersteller: Panjit
MOSFETs TO263 650V 19A N-CH SJUNC
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Technische Details PJMB210N65EC-R2 Panjit

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 19A, Power dissipation: 150W, Case: TO263, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.21Ω, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Pulsed drain current: 42A, Gate charge: 34nC.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PJMB210N65EC_R2_00601 PJMB210N65EC_R2_00601 PanJit Semiconductor PJMB210N65EC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
Gate charge: 34nC
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PJMB210N65EC_R2_00601 PJMB210N65EC.pdf
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 19A; Idm: 42A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 19A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 42A
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