PJMF280N65E1_T0_00001 PanJit Semiconductor
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; Idm: 41.4A; 35.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Pulsed drain current: 41.4A
Power dissipation: 35.7W
Case: ITO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Technische Details PJMF280N65E1_T0_00001 PanJit Semiconductor
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; Idm: 41.4A; 35.7W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 13.8A, Pulsed drain current: 41.4A, Power dissipation: 35.7W, Case: ITO220AB, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.28Ω, Mounting: THT, Gate charge: 30nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| PJMF280N65E1-T0 | Panjit | MOSFETs TO220 650V 13.8A N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PJMF280N65E1-T0 |
Hersteller: Panjit
MOSFETs TO220 650V 13.8A N-CH
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