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PJMH190N60E1_T0_00601

PJMH190N60E1_T0_00601 PanJit

PJMH190N60E1.pdf
Hersteller: PanJit
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.6A; Idm: 62A; 160W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.6A
Pulsed drain current: 62A
Power dissipation: 160W
Case: TO247AD-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Technische Details PJMH190N60E1_T0_00601 PanJit

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.6A; Idm: 62A; 160W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 20.6A, Pulsed drain current: 62A, Power dissipation: 160W, Case: TO247AD-3, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.18Ω, Mounting: THT, Gate charge: 40nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PJMH190N60E1-T0 Panjit 243EAD07904FC6DE022C52294A6A04D7F5988F84DAA14F1BBBD8E92E2AC4C527.pdf MOSFETs TO247 600V 20.6A N-CH SUPER J
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