PJMK040N60EC_T0_00201 Panjit International Inc.
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 28.85 EUR |
| 30+ | 17.62 EUR |
| 60+ | 17.11 EUR |
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Technische Details PJMK040N60EC_T0_00201 Panjit International Inc.
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 45A; Idm: 212A; 200W; TO247-4, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 200W, Case: TO247-4, Mounting: THT, Gate charge: 144nC, Kind of package: reel; tape, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 40mΩ, Pulsed drain current: 212A, Polarisation: unipolar, Drain current: 45A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 600V.
Weitere Produktangebote PJMK040N60EC_T0_00201
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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PJMK040N60EC_T0_00201 | Panjit |
 MOSFETs 600V/ 40mOhms / 71A/ Easy to driver SJ MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PJMK040N60EC_T0_00201 | PanJit |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 45A; Idm: 212A; 200W; TO247-4 Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 200W Case: TO247-4 Mounting: THT Gate charge: 144nC Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 40mΩ Pulsed drain current: 212A Polarisation: unipolar Drain current: 45A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 600V |
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| PJMK040N60EC_T0_00201 |
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Hersteller: Panjit
MOSFETs 600V/ 40mOhms / 71A/ Easy to driver SJ MOSFET
MOSFETs 600V/ 40mOhms / 71A/ Easy to driver SJ MOSFET
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| PJMK040N60EC_T0_00201 |
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Hersteller: PanJit
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 45A; Idm: 212A; 200W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 144nC
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Pulsed drain current: 212A
Polarisation: unipolar
Drain current: 45A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 45A; Idm: 212A; 200W; TO247-4
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Gate charge: 144nC
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 40mΩ
Pulsed drain current: 212A
Polarisation: unipolar
Drain current: 45A
Kind of channel: enhancement
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