PJQ4439EP_R2_00201 Panjit International Inc.
Hersteller: Panjit International Inc.Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details PJQ4439EP_R2_00201 Panjit International Inc.
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -30A; Idm: -90A; 10W, Kind of package: reel, Mounting: SMD, Case: DFN3333-8, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: P-MOSFET, Pulsed drain current: -90A, Drain current: -30A, Drain-source voltage: -30V, Gate charge: 22nC, On-state resistance: 19.1mΩ, Power dissipation: 10W, Gate-source voltage: ±25V, Polarisation: unipolar.
Weitere Produktangebote PJQ4439EP_R2_00201 nach Preis ab 0.36 EUR bis 1.44 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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PJQ4439EP_R2_00201 | Hersteller : Panjit International Inc. |
Description: 30V P-CHANNEL STANDARD TRENCH MO Packaging: Cut Tape (CT) |
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PJQ4439EP_R2_00201 | Hersteller : Panjit |
MOSFETs 30V P-Channel Standard Trench MOSFET |
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| PJQ4439EP_R2_00201 | Hersteller : PanJit Semiconductor |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -30A; Idm: -90A; 10W Kind of package: reel Mounting: SMD Case: DFN3333-8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Pulsed drain current: -90A Drain current: -30A Drain-source voltage: -30V Gate charge: 22nC On-state resistance: 19.1mΩ Power dissipation: 10W Gate-source voltage: ±25V Polarisation: unipolar |
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