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Technische Details PJQ5534-AU_R2_002A1 Panjit
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 156A; 11.5W, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 39A, On-state resistance: 9.3mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Application: automotive industry, Power dissipation: 11.5W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 9.5nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 156A, Mounting: SMD, Case: DFN5060-8, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote PJQ5534-AU_R2_002A1
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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PJQ5534-AU_R2_002A1 | Hersteller : PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 156A; 11.5W Drain-source voltage: 30V Drain current: 39A On-state resistance: 9.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 11.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 9.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 156A Mounting: SMD Case: DFN5060-8 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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PJQ5534-AU_R2_002A1 | Hersteller : Panjit International Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) |
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PJQ5534-AU_R2_002A1 | Hersteller : Panjit International Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) |
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PJQ5534-AU-R2-002A1 | Hersteller : Panjit | Array |
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PJQ5534-AU_R2_002A1 | Hersteller : PanJit Semiconductor |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 156A; 11.5W Drain-source voltage: 30V Drain current: 39A On-state resistance: 9.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 11.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 9.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 156A Mounting: SMD Case: DFN5060-8 |
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