PJW4P06A-AU_R2_007A1 PanJit Semiconductor
Hersteller: PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4A; Idm: -16A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -4A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -16A
Gate charge: 10nC
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 97+ | 0.88 EUR |
| 146+ | 0.58 EUR |
| 229+ | 0.37 EUR |
| 272+ | 0.31 EUR |
| 500+ | 0.27 EUR |
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Technische Details PJW4P06A-AU_R2_007A1 PanJit Semiconductor
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4A; Idm: -16A; 3.1W; SOT223, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -4A, Power dissipation: 3.1W, Case: SOT223, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.13Ω, Mounting: SMD, Kind of channel: enhancement, Application: automotive industry, Kind of package: reel; tape, Pulsed drain current: -16A, Gate charge: 10nC.
Weitere Produktangebote PJW4P06A-AU_R2_007A1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
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PJW4P06A-AU_R2_007A1 | Panjit |
MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PJW4P06A-AU_R2_007A1 |
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Hersteller: Panjit
MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH