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PMBF170,215

PMBF170,215 Nexperia

173243455342687pmbf170.pdf Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details PMBF170,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PMBF170,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2.8 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PMBF170,215 PMBF170,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PMBF170.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
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PMBF170,215 PMBF170,215 Hersteller : Nexperia 173243455342687pmbf170.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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PMBF170,215 PMBF170,215 Hersteller : Nexperia 173243455342687pmbf170.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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PMBF170,215 PMBF170,215 Hersteller : NEXPERIA PMBF170.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 190mA; Idm: 1.2A; 0.83W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23; TO236AB
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
On-state resistance: 9.25Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
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Anzahl Preis
334+0.21 EUR
463+0.15 EUR
586+0.12 EUR
662+0.11 EUR
1330+0.05 EUR
1405+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 334
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PMBF170,215 PMBF170,215 Hersteller : NEXPERIA PMBF170.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 190mA; Idm: 1.2A; 0.83W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23; TO236AB
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
On-state resistance: 9.25Ω
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.83W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1.2A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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463+0.15 EUR
586+0.12 EUR
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PMBF170,215 PMBF170,215 Hersteller : Nexperia PMBF170.pdf MOSFETs PMBF170/SOT23/TO-236AB
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PMBF170,215 PMBF170,215 Hersteller : Nexperia 173243455342687pmbf170.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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PMBF170,215 PMBF170,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PMBF170.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V
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68+0.26 EUR
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1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 40
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PMBF170,215 PMBF170,215 Hersteller : NEXPERIA 2909pmbf170.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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PMBF170,215 PMBF170,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002881260-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMBF170,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2.8 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 111627 Stücke:
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PMBF170,215 PMBF170,215 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0002881260-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMBF170,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2.8 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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PMBF170,215 PMBF170,215 Hersteller : NEXPERIA 2909pmbf170.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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PMBF170,215 Hersteller : NXP Semiconductors PMBF170.pdf SOT-23
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PMBF170,215 PMBF170,215 Hersteller : Nexperia 173243455342687pmbf170.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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