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PMBF170,215 Nexperia

Name: PMBF170,215
Brand: Nexperia
SKU: 1992124-5
Price: 0.073 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

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Technische Details PMBF170,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PMBF170,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2.8 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 830, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 830, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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PMBF170,215

Hersteller : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

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PMBF170,215

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PMBF170,215

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Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

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PMBF170,215

Hersteller : NEXPERIA

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 190mA; Idm: 1.2A; 0.83W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.19A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.83W
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced

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1060+	0.068 EUR
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1330+	0.054 EUR
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PMBF170,215

Hersteller : NEXPERIA

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PMBF170,215

Hersteller : Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V

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3000+	0.15 EUR
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30000+	0.11 EUR
75000+	0.1 EUR
150000+	0.09 EUR

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PMBF170,215

Hersteller : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

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991+	0.15 EUR
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PMBF170,215

Hersteller : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

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635+	0.25 EUR
641+	0.24 EUR
962+	0.15 EUR
1411+	0.099 EUR
3000+	0.078 EUR
6000+	0.069 EUR

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PMBF170,215

Hersteller : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

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298+	0.52 EUR
373+	0.4 EUR
376+	0.39 EUR
635+	0.22 EUR
641+	0.21 EUR
962+	0.13 EUR
1411+	0.087 EUR
3000+	0.071 EUR
6000+	0.066 EUR

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PMBF170,215

Hersteller : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

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361+	0.42 EUR
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PMBF170,215

Hersteller : Nexperia

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

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361+	0.42 EUR
646+	0.22 EUR
991+	0.14 EUR
1473+	0.091 EUR
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PMBF170,215

Hersteller : Nexperia

MOSFET PMBF170/SOT23/TO-236AB

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3000+	0.1 EUR
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PMBF170,215

Hersteller : Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 10 V

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42+	0.62 EUR
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500+	0.25 EUR
1000+	0.18 EUR

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PMBF170,215

Hersteller : NEXPERIA

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

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PMBF170,215

Hersteller : NEXPERIA

NEXP-S-A0002881260-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: NEXPERIA - PMBF170,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2.8 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 830
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

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PMBF170,215

Hersteller : NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PMBF170,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 2.8 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 830
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

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PMBF170,215

Hersteller : NEXPERIA

Trans MOSFET N-CH 60V 0.3A 3-Pin SOT-23 T/R

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PMBF170,215

Hersteller : NXP Semiconductors

SOT-23

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