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Technische Details PMBT3904QAZ Nexperia
Description: NEXPERIA - PMBT3904QAZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 280 mW, DFN1010D, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280mW, Bauform - Transistor: DFN1010D, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote PMBT3904QAZ nach Preis ab 0.039 EUR bis 0.27 EUR
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PMBT3904QAZ | Hersteller : Nexperia |
 Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R |
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PMBT3904QAZ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 40V 0.2A DFN1010D-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 440 mW |
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PMBT3904QAZ | Hersteller : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT 40 V, 200 mA NPN switching transistor |
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PMBT3904QAZ | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R |
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PMBT3904QAZ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMBT3904QAZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 280 mW, DFN1010D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 280mW Bauform - Transistor: DFN1010D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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PMBT3904QAZ | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMBT3904QAZ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 200 mA, 280 mW, DFN1010D, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 280mW Bauform - Transistor: DFN1010D Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 70 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMBT3904QAZ | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PMBT3904QAZ | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 40V 0.2A DFN1010D-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: DFN1010D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 440 mW |
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