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PMBT3906,235

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
PMBT3906,235 PMBT3906,235 Nexperia 2115536322743998pmbt3906.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PMBT3906,235 PMBT3906,235 Nexperia USA Inc. PMBT3906.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 30000 Stücke:
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20000+0.027 EUR
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PMBT3906,235 PMBT3906,235 Nexperia 2115536322743998pmbt3906.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PMBT3906,235 PMBT3906,235 NXP Semiconductors 2115536322743998pmbt3906.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PMBT3906,235 PMBT3906,235 Nexperia 2115536322743998pmbt3906.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PMBT3906,235 PMBT3906,235 Nexperia 2115536322743998pmbt3906.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PMBT3906,235 PMBT3906,235 Nexperia 2115536322743998pmbt3906.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2786+0.052 EUR
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PMBT3906,235 PMBT3906,235 Nexperia 2115536322743998pmbt3906.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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3323+0.042 EUR
3356+0.04 EUR
3876+0.034 EUR
5348+0.023 EUR
5406+0.022 EUR
7634+0.015 EUR
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15152+0.0076 EUR
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PMBT3906,235 PMBT3906,235 Nexperia USA Inc. PMBT3906.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 37330 Stücke:
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91+0.19 EUR
150+0.12 EUR
244+0.072 EUR
500+0.052 EUR
1000+0.046 EUR
2000+0.04 EUR
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PMBT3906,235 PMBT3906,235 Nexperia PMBT3906.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT23 40V .2A PNP SW ITCHING
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23+0.13 EUR
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5000+0.035 EUR
10000+0.028 EUR
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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15152+0.0095 EUR
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: NXP Semiconductors
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 26850 Stücke:
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Hersteller: NXP Semiconductors
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 118000 Stücke:
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Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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AnzahlPreis
2033+0.072 EUR
3323+0.042 EUR
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 40V 0.2A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
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91+0.19 EUR
150+0.12 EUR
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Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT23 40V .2A PNP SW ITCHING
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5000+0.035 EUR
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