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PMBT3906MB,315

PMBT3906MB,315 Nexperia

1318459774894636pmbt3906mb.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 590mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details PMBT3906MB,315 Nexperia

Description: TRANS PNP 40V 0.2A DFN1006B-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-XFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V, Frequency - Transition: 250MHz, Supplier Device Package: DFN1006B-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 250 mW, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PMBT3906MB,315 PMBT3906MB,315 Hersteller : Nexperia USA Inc. PMBT3906MB.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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PMBT3906MB,315 PMBT3906MB,315 Hersteller : Nexperia PMBT3906MB.pdf Bipolar Transistors - BJT PMBT3906MB/SOT883B/XQFN3
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PMBT3906MB,315 PMBT3906MB,315 Hersteller : NEXPERIA 1318459774894636pmbt3906mb.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 590mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R
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PMBT3906MB,315 PMBT3906MB,315 Hersteller : Nexperia USA Inc. PMBT3906MB.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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PMBT3906MB,315 Hersteller : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDBBECF2F2234AE60C7&compId=PMBT3906MB.pdf?ci_sign=a944a306d986644b0b15854bf7f3df93019d4f17 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 590mW; DFN1006B-3,SOT883B
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 590mW
Case: DFN1006B-3; SOT883B
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
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