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PMBT6429,215

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PMBT6429,215 PMBT6429,215 Nexperia pmbt6429.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
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PMBT6429,215 PMBT6429,215 Nexperia pmbt6429.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMBT6429,215 PMBT6429,215 Nexperia USA Inc. PMBT6429.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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PMBT6429,215 PMBT6429,215 Nexperia pmbt6429.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 31000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8929+0.074 EUR
10000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 8929 Stücke
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PMBT6429,215 PMBT6429,215 NXP Semiconductors 181762641588058pmbt6428_pmbt6429.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8929+0.074 EUR
10000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 8929 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMBT6429,215 PMBT6429,215 NXP Semiconductors 181762641588058pmbt6428_pmbt6429.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
8929+0.074 EUR
10000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 8929 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMBT6429,215 PMBT6429,215 Nexperia PMBT6429.pdf Bipolar Transistors - BJT PMBT6429/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+0.29 EUR
20+0.18 EUR
100+0.11 EUR
500+0.08 EUR
1000+0.071 EUR
3000+0.057 EUR
6000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMBT6429,215 PMBT6429,215 Nexperia USA Inc. PMBT6429.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4636 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+0.3 EUR
121+0.18 EUR
194+0.11 EUR
500+0.079 EUR
1000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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PMBT6429,215 PMBT6429,215 NEXPERIA PHGLS02616-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMBT6429,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 700MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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PMBT6429,215 PMBT6429,215 NEXPERIA PHGLS02616-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMBT6429,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 700MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 173 Stücke
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PMBT6429,215 pmbt6429.pdf
PMBT6429,215
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMBT6429,215 pmbt6429.pdf
PMBT6429,215
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 9000 Stücke
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PMBT6429,215 PMBT6429.pdf
PMBT6429,215
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 45V 0.1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMBT6429,215 pmbt6429.pdf
PMBT6429,215
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 31000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8929+0.074 EUR
10000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 8929 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMBT6429,215 181762641588058pmbt6428_pmbt6429.pdf
PMBT6429,215
Hersteller: NXP Semiconductors
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8929+0.074 EUR
10000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 8929 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMBT6429,215 181762641588058pmbt6428_pmbt6429.pdf
PMBT6429,215
Hersteller: NXP Semiconductors
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8929+0.074 EUR
10000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 8929 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMBT6429,215 PMBT6429.pdf
PMBT6429,215
Hersteller: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT PMBT6429/SOT23/TO-236AB
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+0.29 EUR
20+0.18 EUR
100+0.11 EUR
500+0.08 EUR
1000+0.071 EUR
3000+0.057 EUR
6000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMBT6429,215 PMBT6429.pdf
PMBT6429,215
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 45V 0.1A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4636 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
72+0.3 EUR
121+0.18 EUR
194+0.11 EUR
500+0.079 EUR
1000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMBT6429,215 PHGLS02616-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PMBT6429,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMBT6429,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 700MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMBT6429,215 PHGLS02616-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PMBT6429,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMBT6429,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 700MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH