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PMBT6429,215

PMBT6429,215 Nexperia

pmbt6429.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details PMBT6429,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PMBT6429,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 700MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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PMBT6429,215 PMBT6429,215 Hersteller : NXP Semiconductors 181762641588058pmbt6428_pmbt6429.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
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PMBT6429,215 PMBT6429,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PMBT6429.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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PMBT6429,215 PMBT6429,215 Hersteller : Nexperia PMBT6429.pdf Bipolar Transistors - BJT PMBT6429/SOT23/TO-236AB
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PMBT6429,215 PMBT6429,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PMBT6429.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.1A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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PMBT6429,215 PMBT6429,215 Hersteller : NEXPERIA PMBT6429.pdf Description: NEXPERIA - PMBT6429,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 700MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 338 Stücke:
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PMBT6429,215 PMBT6429,215 Hersteller : NEXPERIA PMBT6429.pdf Description: NEXPERIA - PMBT6429,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 250 mW, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
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Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 700MHz
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PMBT6429,215 PMBT6429,215 Hersteller : NEXPERIA 181762641588058pmbt6428_pmbt6429.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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Produktcode: 113574
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PMBT6429,215 PMBT6429,215 Hersteller : Nexperia pmbt6429.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PMBT6429,215 PMBT6429,215 Hersteller : Nexperia pmbt6429.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PMBT6429,215 PMBT6429,215 Hersteller : NEXPERIA PMBT6429.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Kind of package: 7 inch reel; tape
Collector-emitter voltage: 45V
Current gain: 1250
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 700MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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PMBT6429,215 PMBT6429,215 Hersteller : NEXPERIA PMBT6429.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB
Kind of package: 7 inch reel; tape
Collector-emitter voltage: 45V
Current gain: 1250
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 700MHz
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