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PMBTA56,215

PMBTA56,215 Nexperia

pmbta56.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details PMBTA56,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PMBTA56,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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PMBTA56,215 PMBTA56,215 Hersteller : Nexperia pmbta56.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PMBTA56,215 PMBTA56,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PMBTA56.pdf Description: TRANS PNP 80V 0.5A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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PMBTA56,215 PMBTA56,215 Hersteller : Nexperia pmbta56.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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1839+0.15 EUR
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PMBTA56,215 PMBTA56,215 Hersteller : NEXPERIA PMBTA56.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Pulsed collector current: 1A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 4950 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
278+0.26 EUR
417+0.17 EUR
592+0.12 EUR
688+0.1 EUR
969+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 278
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PMBTA56,215 PMBTA56,215 Hersteller : NEXPERIA PMBTA56.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Pulsed collector current: 1A
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PMBTA56,215 PMBTA56,215 Hersteller : Nexperia PMBTA56.pdf Bipolar Transistors - BJT The factory is currently not accepting orders for this product.
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PMBTA56,215 PMBTA56,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PMBTA56.pdf Description: TRANS PNP 80V 0.5A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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56+0.32 EUR
91+0.19 EUR
147+0.12 EUR
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Mindestbestellmenge: 56
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PMBTA56,215 PMBTA56,215 Hersteller : NEXPERIA 665699.pdf Description: NEXPERIA - PMBTA56,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PMBTA56,215 PMBTA56,215 Hersteller : NEXPERIA 665699.pdf Description: NEXPERIA - PMBTA56,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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auf Bestellung 9000 Stücke:
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