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PMBTA56,215

PMBTA56,215 Nexperia

pmbta56.pdf Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details PMBTA56,215 Nexperia

Description: NEXPERIA - PMBTA56,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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6000+0.043 EUR
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30000+0.036 EUR
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PMBTA56,215 PMBTA56,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PMBTA56.pdf Description: TRANS PNP 80V 0.5A TO-236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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3000+0.051 EUR
6000+0.045 EUR
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PMBTA56,215 PMBTA56,215 Hersteller : Nexperia pmbta56.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PMBTA56,215 PMBTA56,215 Hersteller : NEXPERIA PMBTA56.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Collector current: 0.5A
Pulsed collector current: 1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 5561 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.2 EUR
544+0.13 EUR
740+0.097 EUR
860+0.083 EUR
1129+0.063 EUR
2058+0.035 EUR
2174+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 358
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PMBTA56,215 PMBTA56,215 Hersteller : NEXPERIA PMBTA56.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 250mW; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Collector current: 0.5A
Pulsed collector current: 1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
358+0.2 EUR
544+0.13 EUR
740+0.097 EUR
860+0.083 EUR
1129+0.063 EUR
2058+0.035 EUR
2174+0.033 EUR
3000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 358
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PMBTA56,215 PMBTA56,215 Hersteller : Nexperia PMBTA56.pdf Bipolar Transistors - BJT PMBTA56/SOT23/TO-236AB
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.29 EUR
18+0.16 EUR
100+0.074 EUR
1000+0.065 EUR
3000+0.037 EUR
9000+0.032 EUR
24000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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PMBTA56,215 PMBTA56,215 Hersteller : Nexperia USA Inc. PMBTA56.pdf Description: TRANS PNP 80V 0.5A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 146886 Stücke:
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56+0.32 EUR
91+0.19 EUR
147+0.12 EUR
500+0.087 EUR
1000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 56
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PMBTA56,215 PMBTA56,215 Hersteller : NEXPERIA 665699.pdf Description: NEXPERIA - PMBTA56,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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PMBTA56,215 PMBTA56,215 Hersteller : NEXPERIA 665699.pdf Description: NEXPERIA - PMBTA56,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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auf Bestellung 1600 Stücke:
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