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Technische Details PMBTA56-QR Nexperia
Description: TRANS PNP 80V 0.5A TO-236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: TO-236AB, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 250 mW, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote PMBTA56-QR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| PMBTA56-QR | Hersteller : NEXPERIA |
 PMBTA56-Q/SOT23/TO-236AB |
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PMBTA56-QR | Hersteller : Nexperia |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
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| PMBTA56-QR | Hersteller : NEXPERIA |
PMBTA56-QR PNP SMD transistors |
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PMBTA56-QR | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 80V 0.5A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |