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PMBTA92,215

PMBTA92,215 Nexperia

pmbta92.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans GP BJT PNP 300V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details PMBTA92,215 Nexperia

Description: TRANS PNP 300V 0.1A TO-236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 250 mW, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PMBTA92,215 PMBTA92,215 Nexperia pmbta92.pdf Trans GP BJT PNP 300V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R
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PMBTA92,215 PMBTA92,215 NXP PMBTA92_4.pdf PNP, Uкэ=300V, Iк=0.1A (0.2А имп.), h21=25...40, 50МГц, 0.25Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори
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PMBTA92,215 PMBTA92,215 Nexperia USA Inc. PMBTA92.pdf Description: TRANS PNP 300V 0.1A TO-236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 250 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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PMBTA92,215 PMBTA92,215 Nexperia PMBTA92.pdf Bipolar Transistors - BJT PMBTA92/SOT23/TO-236AB
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Current - Collector Cutoff (Max): 250nA (ICBO)
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Frequency - Transition: 50MHz
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