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PMCM4401VNEAZ

PMCM4401VNEAZ Nexperia USA Inc.

PMCM4401VNE.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 12V 4.7A 4WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.78x0.78)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 6 V
auf Bestellung 81000 Stücke:
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Technische Details PMCM4401VNEAZ Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 12V 4.7A 4WLCSP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 12.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.78x0.78), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 6 V.

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PMCM4401VNEAZ PMCM4401VNEAZ Hersteller : Nexperia USA Inc. PMCM4401VNE.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 4.7A 4WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 4-WLCSP (0.78x0.78)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 335 pF @ 6 V
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PMCM4401VNEAZ Hersteller : NEXPERIA PMCM4401VNE.pdf Description: NEXPERIA - PMCM4401VNEAZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
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PMCM4401VNEAZ PMCM4401VNEAZ Hersteller : NEXPERIA 4380596193767223pmcm4401vne.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 4.7A 4-Pin WLCSP
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PMCM4401VNEAZ Hersteller : NEXPERIA PMCM4401VNE.pdf PMCM4401VNEAZ SMD N channel transistors
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