PMCM6501VNEZ NXP USA Inc.
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: PMCM6501VNE - 12V, N-CHANNEL TRE
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 556mW (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.48x0.98)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 6 V
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Technische Details PMCM6501VNEZ NXP USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMCM6501VNEZ - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 12 V, 7.3 A, 0.015 ohm, WLCSP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 556mW, Bauform - Transistor: WLCSP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote PMCM6501VNEZ nach Preis ab 0.25 EUR bis 1.13 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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PMCM6501VNEZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMCM6501VNEZ - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 12 V, 7.3 A, 0.015 ohm, WLCSP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 556mW Bauform - Transistor: WLCSP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMCM6501VNEZ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMCM6501VNEZ - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 12 V, 7.3 A, 0.015 ohm, WLCSP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 556mW Bauform - Transistor: WLCSP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMCM6501VNEZ | Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 12V 9.6A 6-Pin WLCSP T/R |
auf Bestellung 4455 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMCM6501VNEZ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMCM6501VNEZ - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 12 V, 7.3 A, 0.015 ohm, WLCSP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556mW
Bauform - Transistor: WLCSP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: NEXPERIA - PMCM6501VNEZ - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 12 V, 7.3 A, 0.015 ohm, WLCSP, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 221+ | 1.13 EUR |
| 250+ | 0.93 EUR |
| 388+ | 0.55 EUR |
| 500+ | 0.46 EUR |
| 1000+ | 0.4 EUR |
| PMCM6501VNEZ |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMCM6501VNEZ - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 12 V, 7.3 A, 0.015 ohm, WLCSP, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: NEXPERIA - PMCM6501VNEZ - Leistungs-MOSFET, Graben, n-Kanal, 12 V, 7.3 A, 0.015 ohm, WLCSP, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4400 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 221+ | 1.13 EUR |
| 250+ | 0.93 EUR |
| 388+ | 0.55 EUR |
| 500+ | 0.46 EUR |
| 1000+ | 0.4 EUR |
| PMCM6501VNEZ |
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 12V 9.6A 6-Pin WLCSP T/R
Trans MOSFET N-CH 12V 9.6A 6-Pin WLCSP T/R
auf Bestellung 4455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 478+ | 0.37 EUR |
| 485+ | 0.35 EUR |
| 493+ | 0.33 EUR |
| 500+ | 0.31 EUR |
| 508+ | 0.3 EUR |
| 516+ | 0.27 EUR |
| 525+ | 0.26 EUR |
| 3000+ | 0.25 EUR |