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PMCXB1000UEZ

PMCXB1000UEZ Nexperia

4274308115862650pmcxb1000ue.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.59A/0.41A 6-Pin DFN-B EP T/R
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Technische Details PMCXB1000UEZ Nexperia

Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.59A 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel Complementary, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 285mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta), 410mA (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3pF @ 15V, 43.2pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1010B-6, Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PMCXB1000UEZ PMCXB1000UEZ NXP Semiconductors PMCXB1000UE.pdf Description: MOSFET 30V
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PMCXB1000UEZ PMCXB1000UEZ Nexperia PMCXB1000UE.pdf MOSFETs PMCXB1000UE/SOT1216/DFN1010B-6
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PMCXB1000UEZ PMCXB1000UEZ Nexperia USA Inc. PMCXB1000UE.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.59A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta), 410mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3pF @ 15V, 43.2pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.59A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 285mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA (Ta), 410mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3pF @ 15V, 43.2pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
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