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PMDXB1200UPEZ

PMDXB1200UPEZ Nexperia

PMDXB1200UPE-2938408.pdf
Hersteller: Nexperia
MOSFETs PMDXB1200UPE/SOT1216/DFN1010B-
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Technische Details PMDXB1200UPEZ Nexperia

Description: NEXPERIA - PMDXB1200UPEZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 410 mA, 410 mA, 1.2 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 285mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: DFN1010B, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 285mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PMDXB1200UPEZ PMDXB1200UPEZ NEXPERIA PMDXB1200UPE.pdf Description: NEXPERIA - PMDXB1200UPEZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 410 mA, 410 mA, 1.2 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
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Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 285mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1520 Stücke:
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PMDXB1200UPEZ PMDXB1200UPEZ NEXPERIA PMDXB1200UPE.pdf Description: NEXPERIA - PMDXB1200UPEZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 410 mA, 410 mA, 1.2 ohm
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Anzahl der Pins: 6Pin(s)
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Verlustleistung, n-Kanal: 285mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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PMDXB1200UPEZ NEXPERIA NEXP-S-A0003510543-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NEXPERIA - PMDXB1200UPEZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
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auf Bestellung 1798650 Stücke:
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PMDXB1200UPEZ
Hersteller: NEXPERIA
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PMDXB1200UPEZ
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMDXB1200UPEZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 410 mA, 410 mA, 1.2 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
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Anzahl der Pins: 6Pin(s)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
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Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 285mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMDXB1200UPEZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
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auf Bestellung 1798650 Stücke:
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