PMEG150G10ELR-QX Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE GEN PURP 150V 1A SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 15 ns
Technology: SiGe (Silicon Germanium)
Capacitance @ Vr, F: 34pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE GEN PURP 150V 1A SOD123W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123W
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 15 ns
Technology: SiGe (Silicon Germanium)
Capacitance @ Vr, F: 34pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: SOD-123W
Operating Temperature - Junction: 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 150 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2790 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 30+ | 0.88 EUR |
| 39+ | 0.68 EUR |
| 100+ | 0.41 EUR |
| 500+ | 0.38 EUR |
| 1000+ | 0.26 EUR |
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Technische Details PMEG150G10ELR-QX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMEG150G10ELR-QX - Schottky-Gleichrichterdiode, 150 V, 1 A, Einfach, CFP3 (SOD-123W), 2 Pin(s), 850 mV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: CFP3 (SOD-123W), Durchlassstoßstrom: 50A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 850mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Weitere Produktangebote PMEG150G10ELR-QX nach Preis ab 0.26 EUR bis 0.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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PMEG150G10ELR-QX | Hersteller : Nexperia |
 Rectifiers PMEG150G10ELR-Q/SOD123W/SOD2 |
auf Bestellung 2873 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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PMEG150G10ELR-QX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMEG150G10ELR-QX - Schottky-Gleichrichterdiode, 150 V, 1 A, Einfach, CFP3 (SOD-123W), 2 Pin(s), 850 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: CFP3 (SOD-123W) Durchlassstoßstrom: 50A Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: true Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 850mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMEG150G10ELR-QX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMEG150G10ELR-QX - Schottky-Gleichrichterdiode, 150 V, 1 A, Einfach, CFP3 (SOD-123W), 2 Pin(s), 850 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: CFP3 (SOD-123W) Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 850mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMEG150G10ELR-QX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE GEN PURP 150V 1A SOD123W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 15 ns Technology: SiGe (Silicon Germanium) Capacitance @ Vr, F: 34pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 150 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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