
PMEG150G20ELRX NEXPERIA

Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 150V; 2A; 14ns; SOD123W; Ufmax: 0.78V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 2A
Reverse recovery time: 14ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: silicon germanium diode (SiGe)
Case: SOD123W
Max. forward voltage: 0.78V
Max. forward impulse current: 70A
Leakage current: 30nA
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1227 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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215+ | 0.33 EUR |
311+ | 0.23 EUR |
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418+ | 0.17 EUR |
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Technische Details PMEG150G20ELRX NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMEG150G20ELRX - Schottky-Gleichrichterdiode, 150 V, 2 A, Einfach, CFP3 (SOD-123W), 2 Pin(s), 850 mV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: CFP3 (SOD-123W), Durchlassstoßstrom: -, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: AEC-Q101, Durchlassspannung, max.: 850mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote PMEG150G20ELRX nach Preis ab 0.16 EUR bis 0.7 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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PMEG150G20ELRX | Hersteller : NEXPERIA |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 150V; 2A; 14ns; SOD123W; Ufmax: 0.78V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 150V Load current: 2A Reverse recovery time: 14ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: silicon germanium diode (SiGe) Case: SOD123W Max. forward voltage: 0.78V Max. forward impulse current: 70A Leakage current: 30nA Kind of package: reel; tape |
auf Bestellung 1227 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMEG150G20ELRX | Hersteller : Nexperia |
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PMEG150G20ELRX | Hersteller : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: CFP3 (SOD-123W) Durchlassstoßstrom: - rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 850mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMEG150G20ELRX | Hersteller : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: CFP3 (SOD-123W) Durchlassstoßstrom: - rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 850mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 150V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMEG150G20ELRX | Hersteller : NEXPERIA |
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PMEG150G20ELRX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE SIGE 150V 2A SOD123W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 14 ns Technology: SiGe (Silicon Germanium) Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 150 V |
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PMEG150G20ELRX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE SIGE 150V 2A SOD123W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 14 ns Technology: SiGe (Silicon Germanium) Capacitance @ Vr, F: 70pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 850 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 nA @ 150 V |
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