PMEG2005BELD-QYL Nexperia
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Technische Details PMEG2005BELD-QYL Nexperia
Description: PMEG2005BELD-Q/SOD882D/XSON2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 2-XDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns, Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 31pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 500mA, Supplier Device Package: DFN1006D-2, Operating Temperature - Junction: 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 390 mV @ 500 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 20 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote PMEG2005BELD-QYL
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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PMEG2005BELD-QYL | Hersteller : NEXPERIA |
 Rectifier Diode Schottky 0.5A 1.6ns Automotive 2-Pin DFN-D T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PMEG2005BELD-QYL | Hersteller : Nexperia |
Diode Schottky 0.5A 2-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| PMEG2005BELD-QYL | Hersteller : NEXPERIA |
PMEG2005BELD-QYL SMD Schottky diodes |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| PMEG2005BELD-QYL | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: PMEG2005BELD-Q/SOD882D/XSON2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-XDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 1.6 ns Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 31pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 500mA Supplier Device Package: DFN1006D-2 Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 390 mV @ 500 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |