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PMEG3010AESAYL

PMEG3010AESAYL Nexperia

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Hersteller: Nexperia
Diode Schottky 1.4A 2-Pin DSN-U T/R
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Technische Details PMEG3010AESAYL Nexperia

Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DSN1006U-2, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480 mV @ 1 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Supplier Device Package: DSN1006U-2, Current - Average Rectified (Io): 1A, Capacitance @ Vr, F: 32pF @ 10V, 1MHz, Technology: Schottky, Reverse Recovery Time (trr): 3.5 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 2-XDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.25 mA @ 30 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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PMEG3010AESAYL PMEG3010AESAYL Nexperia USA Inc. PMEG3010AESA.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 1A DSN1006U-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1.25 mA @ 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 480 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: DSN1006U-2
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 32pF @ 10V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 3.5 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-XDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 32pF @ 10V, 1MHz
Technology: Schottky
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Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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