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PMEG6010CEH,115 NXP

PMEG6010CEH.pdf PMEG6010CEH_PMEG6010CEJ.pdf
Hersteller: NXP
1A; 60V package: tape/reel; dioda Schottky PMEG6010CEH SOD-123F DS PMEG6010CEH
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Technische Details PMEG6010CEH,115 NXP

Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A SOD123F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-123F, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 68pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: SOD-123F, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 660 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 60 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
PMEG6010CEH,115 NXP/Nexperia/We-En PMEG6010CEH_PMEG6010CEJ_NXP.pdf Діод Шотткі smd, Io, A = 1, Uзвор, В = 60, Uf (max), В = 0,66, If, А = 1, C, пФ @ Ur, В, F, МГц = 68 @ 1, 1 кГц, Тексп, °C = -65...+150, I, мкА @ Ur, В = 50 @ 60,... Діоди Корпус: SOD-123F Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 1 Stücke:
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PMEG6010CEH,115 PMEG6010CEH_PMEG6010CEJ_NXP.pdf
Hersteller: NXP/Nexperia/We-En
Діод Шотткі smd, Io, A = 1, Uзвор, В = 60, Uf (max), В = 0,66, If, А = 1, C, пФ @ Ur, В, F, МГц = 68 @ 1, 1 кГц, Тексп, °C = -65...+150, I, мкА @ Ur, В = 50 @ 60,... Діоди Корпус: SOD-123F Од. вим: шт
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