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PMEG6010ESBYL

PMEG6010ESBYL NXP USA Inc.

PMEG6010ESB.pdf
Hersteller: NXP USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DSN1006-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 730 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: DSN1006-2
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 10V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 2.4 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-XDFN
Packaging: Bulk
auf Bestellung 27000 Stücke:
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Technische Details PMEG6010ESBYL NXP USA Inc.

Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DSN1006-2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 2-XDFN, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 2.4 ns, Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 10V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DSN1006-2, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 730 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 60 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
PMEG6010ESBYL PMEG6010ESBYL Nexperia PMEG6010ESB.pdf Schottky Diodes & Rectifiers PMEG6010ESB/SOD993/DSN1006-2
auf Bestellung 14705 Stücke:
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12+0.25 EUR
100+0.13 EUR
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PMEG6010ESBYL PMEG6010ESBYL Nexperia USA Inc. PMEG6010ESB.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DSN1006-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.4 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DSN1006-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 730 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 60 V
auf Bestellung 8199 Stücke:
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58+0.31 EUR
108+0.16 EUR
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PMEG6010ESBYL NXP Semiconductors PMEG6010ESB.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DSN1006-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 730 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: DSN1006-2
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 10V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 2.4 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-XDFN
Packaging: Bulk
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PMEG6010ESBYL NXP/Nexperia/We-En PMEG6010ESB-1544634.pdf Діод Шотткі smd, Io, A = 1, Uзвор, В = 60, Uf (max), В = 0,73, C, пФ @ Ur, В, F, МГц = 20 @ 1, 1, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, I, мкА @ Ur, В = 30,... Діоди Корпус: DSN-1006-2 Очікується: 200 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
verfügbar 694 Stücke:
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Hersteller: Nexperia
Schottky Diodes & Rectifiers PMEG6010ESB/SOD993/DSN1006-2
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Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 10V, 1MHz
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Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
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Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 10V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 2.4 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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