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Technische Details PMEG6010ESBYL Nexperia
Description: NEXPERIA - PMEG6010ESBYL - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, SOD-993, 2 Pin(s), 730 mV, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOD-993, Durchlassstoßstrom: 10A, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 730mV, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 60V, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote PMEG6010ESBYL nach Preis ab 0.075 EUR bis 0.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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PMEG6010ESBYL | NXP USA Inc. |
 Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DSN1006-2Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 730 mV @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Supplier Device Package: DSN1006-2 Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 10V, 1MHz Technology: Schottky Reverse Recovery Time (trr): 2.4 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 2-XDFN Packaging: Bulk |
auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PMEG6010ESBYL | Nexperia |
Diode Schottky 1.4A 2-Pin DSN T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMEG6010ESBYL | Nexperia |
Diode Schottky 1.4A 2-Pin DSN T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMEG6010ESBYL | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMEG6010ESBYL - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, SOD-993, 2 Pin(s), 730 mV tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-993 Durchlassstoßstrom: 10A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 730mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 60V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 200180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMEG6010ESBYL | Nexperia |
Schottky Diodes & Rectifiers PMEG6010ESB/SOD993/DSN1006-2 |
auf Bestellung 14705 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PMEG6010ESBYL | Nexperia USA Inc. |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DSN1006-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 2-XDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.4 ns Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DSN1006-2 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 730 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 60 V |
auf Bestellung 8199 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMEG6010ESBYL | NXP Semiconductors |
Rectifier Diode Schottky 1.4A 2.4ns 2-Pin DSN T/R |
auf Bestellung 199680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMEG6010ESBYL | NXP Semiconductors |
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DSN1006-2 Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 730 mV @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Supplier Device Package: DSN1006-2 Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 10V, 1MHz Technology: Schottky Reverse Recovery Time (trr): 2.4 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 2-XDFN Packaging: Bulk |
auf Bestellung 199680 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| PMEG6010ESBYL | NXP/Nexperia/We-En |
Діод Шотткі smd, Io, A = 1, Uзвор, В = 60, Uf (max), В = 0,73, C, пФ @ Ur, В, F, МГц = 20 @ 1, 1, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, I, мкА @ Ur, В = 30,... Діоди Корпус: DSN-1006-2 Очікується: 200 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke |
verfügbar 694 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PMEG6010ESBYL |
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Hersteller: NXP USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DSN1006-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 730 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: DSN1006-2
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 10V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 2.4 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-XDFN
Packaging: Bulk
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DSN1006-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 730 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: DSN1006-2
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 10V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 2.4 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-XDFN
Packaging: Bulk
auf Bestellung 27000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7088+ | 0.08 EUR |
| PMEG6010ESBYL |
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Hersteller: Nexperia
Diode Schottky 1.4A 2-Pin DSN T/R
Diode Schottky 1.4A 2-Pin DSN T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10000+ | 0.087 EUR |
| PMEG6010ESBYL |
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Hersteller: Nexperia
Diode Schottky 1.4A 2-Pin DSN T/R
Diode Schottky 1.4A 2-Pin DSN T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10000+ | 0.087 EUR |
| PMEG6010ESBYL |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMEG6010ESBYL - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, SOD-993, 2 Pin(s), 730 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-993
Durchlassstoßstrom: 10A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 730mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 60V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: NEXPERIA - PMEG6010ESBYL - Schottky-Gleichrichterdiode, 60 V, 1 A, Einfach, SOD-993, 2 Pin(s), 730 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-993
Durchlassstoßstrom: 10A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 730mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 60V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 200180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10000+ | 0.12 EUR |
| PMEG6010ESBYL |
|
Hersteller: Nexperia
Schottky Diodes & Rectifiers PMEG6010ESB/SOD993/DSN1006-2
Schottky Diodes & Rectifiers PMEG6010ESB/SOD993/DSN1006-2
auf Bestellung 14705 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 0.45 EUR |
| 12+ | 0.3 EUR |
| 100+ | 0.15 EUR |
| 1000+ | 0.12 EUR |
| 2500+ | 0.12 EUR |
| 10000+ | 0.11 EUR |
| 20000+ | 0.086 EUR |
| PMEG6010ESBYL |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DSN1006-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.4 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DSN1006-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 730 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 60 V
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DSN1006-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-XDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2.4 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DSN1006-2
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 730 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 60 V
auf Bestellung 8199 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 38+ | 0.57 EUR |
| 58+ | 0.37 EUR |
| 108+ | 0.19 EUR |
| 500+ | 0.17 EUR |
| 1000+ | 0.15 EUR |
| 2000+ | 0.14 EUR |
| 5000+ | 0.12 EUR |
| PMEG6010ESBYL |
|
Hersteller: NXP Semiconductors
Rectifier Diode Schottky 1.4A 2.4ns 2-Pin DSN T/R
Rectifier Diode Schottky 1.4A 2.4ns 2-Pin DSN T/R
auf Bestellung 199680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8671+ | 0.075 EUR |
| PMEG6010ESBYL |
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Hersteller: NXP Semiconductors
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DSN1006-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 730 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: DSN1006-2
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 10V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 2.4 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-XDFN
Packaging: Bulk
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 1A DSN1006-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 730 mV @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: DSN1006-2
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 10V, 1MHz
Technology: Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 2.4 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-XDFN
Packaging: Bulk
auf Bestellung 199680 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7088+ | 0.08 EUR |
| PMEG6010ESBYL |
|
Hersteller: NXP/Nexperia/We-En
Діод Шотткі smd, Io, A = 1, Uзвор, В = 60, Uf (max), В = 0,73, C, пФ @ Ur, В, F, МГц = 20 @ 1, 1, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, I, мкА @ Ur, В = 30,... Діоди Корпус: DSN-1006-2 Очікується: 200 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
Діод Шотткі smd, Io, A = 1, Uзвор, В = 60, Uf (max), В = 0,73, C, пФ @ Ur, В, F, МГц = 20 @ 1, 1, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, I, мкА @ Ur, В = 30,... Діоди Корпус: DSN-1006-2 Очікується: 200 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 10000 Stücke
verfügbar 694 Stücke: