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PMF170XP,115

PMF170XP,115 Nexperia

pmf170xp.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details PMF170XP,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PMF170XP,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 290mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
PMF170XP,115 PMF170XP,115 Nexperia pmf170xp.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SC-70 T/R
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6000+0.066 EUR
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6000+0.068 EUR
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PMF170XP,115 PMF170XP,115 Nexperia USA Inc. PMF170XP.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
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9000+0.074 EUR
15000+0.069 EUR
21000+0.066 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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PMF170XP,115 PMF170XP,115 Nexperia pmf170xp.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SC-70 T/R
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PMF170XP,115 PMF170XP,115 NEXPERIA PMF170XP.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.7A; 360mW; SC70,SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.7A
Power dissipation: 0.36W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 6875 Stücke:
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358+0.2 EUR
428+0.17 EUR
491+0.15 EUR
581+0.12 EUR
729+0.098 EUR
964+0.074 EUR
1073+0.067 EUR
3000+0.062 EUR
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PMF170XP,115 PMF170XP,115 Nexperia PMF170XP.pdf MOSFETs PMF170XP/SOT323/SC-70
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100+0.16 EUR
500+0.12 EUR
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6000+0.079 EUR
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PMF170XP,115 PMF170XP,115 Nexperia USA Inc. PMF170XP.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
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PMF170XP,115 PMF170XP,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003511357-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMF170XP,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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PMF170XP,115 PMF170XP,115 Nexperia pmf170xp.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SC-70 T/R
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SC-70 T/R
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Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
3000+0.081 EUR
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9000+0.058 EUR
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auf Bestellung 9000 Stücke:
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AnzahlPreis
3000+0.081 EUR
6000+0.068 EUR
9000+0.06 EUR
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PMF170XP,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
auf Bestellung 24000 Stücke:
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 2032 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
837+0.17 EUR
1343+0.11 EUR
1356+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 837 Stücke
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PMF170XP,115
Hersteller: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.7A; 360mW; SC70,SOT323
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.7A
Power dissipation: 0.36W
Case: SC70; SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
358+0.2 EUR
428+0.17 EUR
491+0.15 EUR
581+0.12 EUR
729+0.098 EUR
964+0.074 EUR
1073+0.067 EUR
3000+0.062 EUR
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs PMF170XP/SOT323/SC-70
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100+0.16 EUR
500+0.12 EUR
3000+0.088 EUR
6000+0.079 EUR
9000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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PMF170XP,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 1A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 290mW (Ta), 1.67W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.15V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
auf Bestellung 24298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
42+0.42 EUR
68+0.26 EUR
109+0.16 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMF170XP,115 NEXP-S-A0003511357-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PMF170XP,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMF170XP,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 1 A, 0.2 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 20V 1A 3-Pin SC-70 T/R
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