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PMGD175XNEX

PMGD175XNEX Nexperia

pmgd175xne.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R
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Technische Details PMGD175XNEX Nexperia

Description: NEXPERIA - PMGD175XNEX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 870 mA, 870 mA, 0.211 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.211ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 390mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.211ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 390mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PMGD175XNEX PMGD175XNEX Nexperia 164pmgd175xne.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12_26_13.pdfci.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R
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PMGD175XNEX PMGD175XNEX Nexperia 164pmgd175xne.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12_26_13.pdfci.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R
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PMGD175XNEX PMGD175XNEX Nexperia pmgd175xne.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R
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PMGD175XNEX PMGD175XNEX Nexperia USA Inc. PMGD175XNE.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.87A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 260mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 81pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 252mOhm @ 900mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
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3000+0.24 EUR
6000+0.21 EUR
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4+0.92 EUR
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9000+0.2 EUR
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PMGD175XNEX PMGD175XNEX Nexperia USA Inc. PMGD175XNE.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.87A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 260mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 81pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 252mOhm @ 900mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
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20+1.09 EUR
32+0.67 EUR
100+0.42 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
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PMGD175XNEX PMGD175XNEX NEXPERIA NEXP-S-A0003105780-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMGD175XNEX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 870 mA, 870 mA, 0.211 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.211ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 390mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.211ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 390mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5820 Stücke:
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124+2.02 EUR
226+1.02 EUR
314+0.68 EUR
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PMGD175XNEX PMGD175XNEX NEXPERIA NEXP-S-A0003105780-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMGD175XNEX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 870 mA, 870 mA, 0.211 ohm
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.211ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 390mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.211ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 390mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5820 Stücke:
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124+2.02 EUR
226+1.02 EUR
314+0.68 EUR
500+0.54 EUR
1500+0.48 EUR
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PMGD175XNEX 164pmgd175xne.pdfcidbrand_nxpdatafeed-web_third_party-12_26_13.pdfci.pdf
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R
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Trans MOSFET N-CH 30V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 0.87A 6-Pin TSSOP T/R
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PMGD175XNEX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.87A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 260mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 81pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 252mOhm @ 900mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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MOSFETs PMGD175XNE/SOT363/SC-88
auf Bestellung 8830 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
4+0.92 EUR
10+0.57 EUR
100+0.31 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.24 EUR
9000+0.2 EUR
24000+0.19 EUR
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PMGD175XNEX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.87A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 260mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 870mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 81pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 252mOhm @ 900mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.65nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
auf Bestellung 17000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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32+0.67 EUR
100+0.42 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
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PMGD175XNEX NEXP-S-A0003105780-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PMGD175XNEX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMGD175XNEX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 870 mA, 870 mA, 0.211 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.211ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 390mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.211ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 390mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
124+2.02 EUR
226+1.02 EUR
314+0.68 EUR
500+0.54 EUR
1500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
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PMGD175XNEX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMGD175XNEX - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 870 mA, 870 mA, 0.211 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 870mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 870mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.211ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 390mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.211ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 390mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
124+2.02 EUR
226+1.02 EUR
314+0.68 EUR
500+0.54 EUR
1500+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 124 Stücke
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