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PMGD780SN,115

PMGD780SN,115 Nexperia USA Inc.

PMGD780SN.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 300mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 410mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details PMGD780SN,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PMGD780SN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.78 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.78ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 410mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Nexperia PMGD780SN-2938732.pdf MOSFETs PMGD780SN/SOT363/SC-88
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PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Nexperia USA Inc. PMGD780SN.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 300mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 410mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
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PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMGD780SN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.78 ohm
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
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Qualifikation: -
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.78ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 410mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 17998 Stücke:
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PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMGD780SN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.78 ohm
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Verlustleistung, n-Kanal: 410mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 17998 Stücke:
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PMGD780SN,115
Hersteller: Nexperia
MOSFETs PMGD780SN/SOT363/SC-88
auf Bestellung 31889 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.62 EUR
10+0.37 EUR
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PMGD780SN,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP
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Supplier Device Package: 6-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 10V
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Power - Max: 410mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
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Hersteller: NEXPERIA
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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PMGD780SN,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMGD780SN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.78 ohm
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.78ohm
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Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 410mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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