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PMGD780SN,115

PMGD780SN,115 Nexperia USA Inc.

PMGD780SN.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 410mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 300mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Not For New Designs
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Technische Details PMGD780SN,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PMGD780SN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.78 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.78ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 410mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Nexperia 172303137583267pmgd780sn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
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PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Nexperia 172303137583267pmgd780sn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
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PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Nexperia 172303137583267pmgd780sn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
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PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Nexperia 172303137583267pmgd780sn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
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555+0.32 EUR
660+0.26 EUR
812+0.2 EUR
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PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Nexperia 172303137583267pmgd780sn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
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708+0.21 EUR
854+0.17 EUR
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PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Nexperia USA Inc. PMGD780SN.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 410mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 300mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Not For New Designs
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27+0.8 EUR
55+0.39 EUR
100+0.23 EUR
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PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMGD780SN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.78 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.78ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 410mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 17998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
191+1.31 EUR
402+0.58 EUR
622+0.35 EUR
633+0.33 EUR
1500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 191 Stücke
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PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMGD780SN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.78 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.78ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 410mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 17998 Stücke:
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191+1.31 EUR
402+0.58 EUR
622+0.35 EUR
633+0.33 EUR
1500+0.29 EUR
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PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 NEXPERIA PMGD780SN.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.31A; 410mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.41W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.05nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 5880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PMGD780SN,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.15 EUR
6000+0.13 EUR
9000+0.12 EUR
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.15 EUR
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9000+0.12 EUR
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.15 EUR
6000+0.14 EUR
9000+0.13 EUR
15000+0.12 EUR
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PMGD780SN,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.17 EUR
12000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PMGD780SN,115 172303137583267pmgd780sn.pdf
PMGD780SN,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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PMGD780SN,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 1960 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
395+0.45 EUR
555+0.32 EUR
660+0.26 EUR
812+0.2 EUR
1205+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 395 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
auf Bestellung 1960 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
327+0.55 EUR
406+0.43 EUR
454+0.37 EUR
607+0.26 EUR
708+0.21 EUR
854+0.17 EUR
1185+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 327 Stücke
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PMGD780SN,115
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 410mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 30V
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Not For New Designs
auf Bestellung 23286 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
27+0.8 EUR
55+0.39 EUR
100+0.23 EUR
500+0.2 EUR
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PMGD780SN,115 NEXP-S-A0003059633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PMGD780SN,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMGD780SN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.78 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.78ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 410mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 17998 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
191+1.31 EUR
402+0.58 EUR
622+0.35 EUR
633+0.33 EUR
1500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 191 Stücke
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PMGD780SN,115 NEXP-S-A0003059633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PMGD780SN,115
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMGD780SN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.78 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.78ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 410mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 17998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
191+1.31 EUR
402+0.58 EUR
622+0.35 EUR
633+0.33 EUR
1500+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 191 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.31A; 410mW
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.31A
Power dissipation: 0.41W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.05nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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