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PMGD780SN.115


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Transistoren > MOSFET N-CH

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PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Hersteller : Nexperia 172303137583267pmgd780sn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
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PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Hersteller : Nexperia 172303137583267pmgd780sn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
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PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PMGD780SN.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 410mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 300mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Not For New Designs
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PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Hersteller : Nexperia 172303137583267pmgd780sn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
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PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Hersteller : Nexperia 172303137583267pmgd780sn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
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PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Hersteller : Nexperia 172303137583267pmgd780sn.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.49A 6-Pin TSSOP T/R
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PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Hersteller : Nexperia PMGD780SN-2938732.pdf MOSFETs PMGD780SN/SOT363/SC-88
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PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Hersteller : Nexperia USA Inc. PMGD780SN.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.49A 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 410mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 490mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 300mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Not For New Designs
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PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003059633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMGD780SN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.78 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.78ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 410mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 17998 Stücke:
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PMGD780SN,115 PMGD780SN,115 Hersteller : NEXPERIA NEXP-S-A0003059633-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMGD780SN,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 0.78 ohm
tariffCode: 85412900
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
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Qualifikation: -
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.78ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 410mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 17998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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PMGD780SN,115 PMGD780SN.pdf
auf Bestellung 29688 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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