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PMMT591A,215

PMMT591A,215 Nexperia USA Inc.

PMMT591A.pdf
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 40V 1A TO-236AB
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details PMMT591A,215 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PMMT591A,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 1 A, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 250mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 1A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PMMT591A,215 PMMT591A,215 Nexperia pmmt591a.pdf Trans GP BJT PNP 40V 1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PMMT591A,215 PMMT591A,215 Nexperia pmmt591a.pdf Trans GP BJT PNP 40V 1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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PMMT591A,215 PMMT591A,215 Nexperia USA Inc. PMMT591A.pdf Description: TRANS PNP 40V 1A TO-236AB
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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PMMT591A,215 PMMT591A,215 Nexperia PMMT591A.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP BISS transistor
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PMMT591A,215 PMMT591A,215 NEXPERIA NEXP-S-A0002882747-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMMT591A,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 1 A, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2953 Stücke:
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200+1.25 EUR
292+0.8 EUR
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PMMT591A,215 PMMT591A,215 NEXPERIA NEXP-S-A0002882747-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMMT591A,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 1 A, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 40V 1A TO-236AB
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236AB
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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PMMT591A,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMMT591A,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 1 A, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
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Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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PMMT591A,215
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMMT591A,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 1 A, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 250mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 1A
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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AnzahlPrivatkunde
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