PMN15ENEX Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 6.4A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
auf Bestellung 2846 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 34+ | 0.53 EUR |
| 46+ | 0.39 EUR |
| 100+ | 0.2 EUR |
| 500+ | 0.19 EUR |
| 1000+ | 0.16 EUR |
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Technische Details PMN15ENEX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMN15ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.4 A, 0.017 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 667mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 667mW, Bauform - Transistor: TSOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote PMN15ENEX nach Preis ab 0.14 EUR bis 0.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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PMN15ENEX | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET |
auf Bestellung 2452 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PMN15ENEX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMN15ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.4 A, 0.017 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 667mW Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMN15ENEX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMN15ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.4 A, 0.017 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 667mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 667mW Bauform - Transistor: TSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMN15ENEX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.4A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74, SOT-457 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.4A, 10V Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V |
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