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PMN15ENEX

PMN15ENEX NEXPERIA

3669751.pdf
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMN15ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.4 A, 0.017 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 667mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
219+1.14 EUR
278+0.83 EUR
457+0.46 EUR
610+0.36 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
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Technische Details PMN15ENEX NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PMN15ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.4 A, 0.017 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 667mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 667mW, Bauform - Transistor: TSOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PMN15ENEX PMN15ENEX NEXPERIA 3669751.pdf Description: NEXPERIA - PMN15ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.4 A, 0.017 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung Pd: 667mW
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Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
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Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
219+1.14 EUR
278+0.83 EUR
457+0.46 EUR
610+0.36 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
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PMN15ENEX PMN15ENEX Nexperia USA Inc. PMN15ENE.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.4A 6TSOP
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
auf Bestellung 2830 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.27 EUR
27+0.79 EUR
50+0.57 EUR
100+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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PMN15ENEX 3669751.pdf
PMN15ENEX
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMN15ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.4 A, 0.017 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 667mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 667mW
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.017ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
219+1.14 EUR
278+0.83 EUR
457+0.46 EUR
610+0.36 EUR
1000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 219 Stücke
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PMN15ENEX
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 6.4A 6TSOP
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
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AnzahlPrivatkunde
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27+0.79 EUR
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Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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