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PMN30XPEX

PMN30XPEX Nexperia USA Inc.

PMN30XPE.pdf Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 10 V
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Technische Details PMN30XPEX Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74, SOT-457, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 10 V.

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PMN30XPEX PMN30XPEX Hersteller : Nexperia PMN30XPE-1596200.pdf MOSFET PMN30XPE/SOT457/SC-74
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PMN30XPEX PMN30XPEX Hersteller : Nexperia USA Inc. PMN30XPE.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465 pF @ 10 V
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PMN30XPEX PMN30XPEX Hersteller : Nexperia pmn30xpe.pdf 20 V, P-channel Trench MOSFET
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PMN30XPEX Hersteller : NEXPERIA PMN30XPE.pdf PMN30XPEX SMD P channel transistors
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