PMN40ENAX Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 4.2A 6TSOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 652mW (Ta), 7.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.26 EUR |
| 6000+ | 0.25 EUR |
| 9000+ | 0.23 EUR |
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Technische Details PMN40ENAX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMN40ENAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.2 A, 0.032 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 7.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.5W, Bauform - Transistor: TSOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote PMN40ENAX nach Preis ab 0.31 EUR bis 1.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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PMN40ENAX | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 4.2A 6TSOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Power Dissipation (Max): 652mW (Ta), 7.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.2A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-74, SOT-457 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 12089 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PMN40ENAX | Nexperia |
MOSFET PMN40ENA/SOT457/SC-74 |
auf Bestellung 2380 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PMN40ENAX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMN40ENAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.2 A, 0.032 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.5W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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PMN40ENAX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMN40ENAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.2 A, 0.032 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 7.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.5W Bauform - Transistor: TSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 2980 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMN40ENAX |
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 60V 4.2A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 652mW (Ta), 7.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 60V 4.2A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 652mW (Ta), 7.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 22+ | 0.96 EUR |
| 30+ | 0.71 EUR |
| 100+ | 0.48 EUR |
| 500+ | 0.35 EUR |
| 1000+ | 0.31 EUR |
| PMN40ENAX |
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Hersteller: Nexperia
MOSFET PMN40ENA/SOT457/SC-74
MOSFET PMN40ENA/SOT457/SC-74
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 0.99 EUR |
| 10+ | 0.84 EUR |
| 100+ | 0.63 EUR |
| 500+ | 0.5 EUR |
| PMN40ENAX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMN40ENAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.2 A, 0.032 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PMN40ENAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.2 A, 0.032 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2980 Stücke:
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 206+ | 1.21 EUR |
| 303+ | 0.77 EUR |
| 445+ | 0.48 EUR |
| 565+ | 0.38 EUR |
| 1000+ | 0.36 EUR |
| PMN40ENAX |
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Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMN40ENAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.2 A, 0.032 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.5W
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PMN40ENAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.2 A, 0.032 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.5W
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 206+ | 1.21 EUR |
| 303+ | 0.77 EUR |
| 445+ | 0.48 EUR |
| 565+ | 0.38 EUR |
| 1000+ | 0.36 EUR |