PMPB09R5VPX Nexperia USA Inc.
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: PMPB09R5VP - 12 V, P-CHANNEL TRE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 6 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details PMPB09R5VPX Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PMPB09R5VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 10.5 A, 0.0095 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.9W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9W, Bauform - Transistor: DFN2020M, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0095ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote PMPB09R5VPX nach Preis ab 0.29 EUR bis 1.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PMPB09R5VPX | Nexperia USA Inc. |
Description: PMPB09R5VP - 12 V, P-CHANNEL TRE Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 6 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±8V Part Status: Active Supplier Device Package: DFN2020M-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V |
auf Bestellung 5626 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
PMPB09R5VPX | Nexperia |
MOSFETs 30 V, N-channel MOSFET |
auf Bestellung 3615 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
PMPB09R5VPX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB09R5VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 10.5 A, 0.0095 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: DFN2020M Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 135 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
|
PMPB09R5VPX | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB09R5VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 10.5 A, 0.0095 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.9W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9W Bauform - Transistor: DFN2020M Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0095ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 135 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| PMPB09R5VPX |
|
Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: PMPB09R5VP - 12 V, P-CHANNEL TRE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Description: PMPB09R5VP - 12 V, P-CHANNEL TRE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
auf Bestellung 5626 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 1.13 EUR |
| 28+ | 0.76 EUR |
| 100+ | 0.51 EUR |
| 500+ | 0.39 EUR |
| 1000+ | 0.35 EUR |
| PMPB09R5VPX |
|
Hersteller: Nexperia
MOSFETs 30 V, N-channel MOSFET
MOSFETs 30 V, N-channel MOSFET
auf Bestellung 3615 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 1.18 EUR |
| 10+ | 0.8 EUR |
| 100+ | 0.55 EUR |
| 500+ | 0.42 EUR |
| 1000+ | 0.38 EUR |
| 3000+ | 0.32 EUR |
| 6000+ | 0.29 EUR |
| PMPB09R5VPX |
|
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB09R5VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 10.5 A, 0.0095 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PMPB09R5VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 10.5 A, 0.0095 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| PMPB09R5VPX |
|
Hersteller: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMPB09R5VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 10.5 A, 0.0095 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0095ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PMPB09R5VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 10.5 A, 0.0095 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0095ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 135 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)