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PMPB11EN,115

PMPB11EN,115 Nexperia

pmpb11en.pdf
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R
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Technische Details PMPB11EN,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PMPB11EN,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.012 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: DFN2020MD, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
PMPB11EN,115 PMPB11EN,115 Nexperia pmpb11en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R
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PMPB11EN,115 PMPB11EN,115 Nexperia pmpb11en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R
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PMPB11EN,115 PMPB11EN,115 NEXPERIA PMPB11EN.pdf Description: NEXPERIA - PMPB11EN,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.012 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
231+1.08 EUR
306+0.76 EUR
370+0.58 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.42 EUR
Mindestbestellmenge: 231 Stücke
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PMPB11EN,115 PMPB11EN,115 NEXPERIA PMPB11EN.pdf Description: NEXPERIA - PMPB11EN,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.012 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 9A
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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PMPB11EN,115 PMPB11EN,115 Nexperia USA Inc. PMPB11EN.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
auf Bestellung 1765 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.26 EUR
28+0.77 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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PMPB11EN,115 PMPB11EN,115 Nexperia PMPB11EN.pdf MOSFETs PMPB11EN/SOT1220/SOT1220
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.58 EUR
10+0.99 EUR
50+0.73 EUR
100+0.63 EUR
250+0.61 EUR
1000+0.44 EUR
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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PMPB11EN,115
Hersteller: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R
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Description: NEXPERIA - PMPB11EN,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.012 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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PMPB11EN,115
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Description: NEXPERIA - PMPB11EN,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.012 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3810 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
231+1.08 EUR
306+0.76 EUR
370+0.58 EUR
500+0.48 EUR
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Hersteller: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 9A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
auf Bestellung 1765 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+1.26 EUR
28+0.77 EUR
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Hersteller: Nexperia
MOSFETs PMPB11EN/SOT1220/SOT1220
auf Bestellung 238 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.58 EUR
10+0.99 EUR
50+0.73 EUR
100+0.63 EUR
250+0.61 EUR
1000+0.44 EUR
3000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH