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Technische Details PMPB13UPX Nexperia
Description: NEXPERIA - PMPB13UPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 13 A, 0.013 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: DFN2020MD, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote PMPB13UPX nach Preis ab 0.18 EUR bis 1.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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PMPB13UPX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
 Description: MOSFET P-CH 12V 9.1A DFN2020MD-6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 6 V |
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PMPB13UPX | Hersteller : Nexperia |
MOSFETs PMPB13UP/SOT1220/SOT1220 |
auf Bestellung 5324 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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PMPB13UPX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB13UPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 13 A, 0.013 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: DFN2020MD Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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PMPB13UPX | Hersteller : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMPB13UPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 13 A, 0.013 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: DFN2020MD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 149 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| PMPB13UPX | Hersteller : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 12V 9.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PMPB13UPX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 12V 9.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PMPB13UPX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 12V 9.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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PMPB13UPX | Hersteller : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 12V 9.1A DFN2020MD-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 12.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: DFN2020MD-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 6 V |
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