PMPB13XNEAX Nexperia
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 6000+ | 0.23 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details PMPB13XNEAX Nexperia
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 5A; Idm: 32A; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: Trench, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 5A, Pulsed drain current: 32A, Case: DFN2020MD-6; SOT1220, Gate-source voltage: ±8V, On-state resistance: 27mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 36nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Version: ESD, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote PMPB13XNEAX
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
PMPB13XNEAX | Hersteller : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 30V 11.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
PMPB13XNEAX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 11.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
PMPB13XNEAX | Hersteller : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 30V 11.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| PMPB13XNEAX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 5A; Idm: 32A; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A Pulsed drain current: 32A Case: DFN2020MD-6; SOT1220 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
 |
PMPB13XNEAX | Hersteller : Nexperia | MOSFETs SOT1220 N CHAN 30V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| PMPB13XNEAX | Hersteller : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 30V; 5A; Idm: 32A; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A Pulsed drain current: 32A Case: DFN2020MD-6; SOT1220 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
Produkt ist nicht verfügbar |